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眾所周知，芯片的原材料是砂子，但從砂子變成芯片，中間要經(jīng)過(guò)N道工序，需要N種設(shè)備，同時(shí)也需要尖頂?shù)募夹g(shù)。
而這些設(shè)備中，最重要的就是光刻機(jī)、刻蝕機(jī)了，按照機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示，在芯片制造的所有設(shè)備中，光刻機(jī)的成本占比約為24％，而刻蝕機(jī)的占比約為20％，這兩種設(shè)備合計(jì)占比為44％。
之后再是薄膜沉積設(shè)備、測(cè)試設(shè)備和封裝設(shè)備，分別占比20％、9％、6％。不過(guò)薄膜沉積設(shè)備不只有一臺(tái)，而是一類機(jī)器，有很多種，與光刻機(jī)、刻蝕機(jī)還是不一樣的。
那么問(wèn)題就來(lái)了，既然這兩種設(shè)備這么關(guān)鍵，那么國(guó)內(nèi)的光刻機(jī)、刻蝕機(jī)技術(shù)如何，與世界先進(jìn)水平相比，有多大的差距？
先說(shuō)光刻機(jī)，這也是大家最關(guān)心的，目前全球最頂尖的光刻機(jī)自然是ASML的0．55孔徑的EUV光刻機(jī)，售價(jià)大約為22億一臺(tái)，可生產(chǎn)2nm以下甚至埃米級(jí)（0．1nm）級(jí)的芯片。
之后再是0．33孔徑的ASML的EUV光刻機(jī)，售價(jià)10億元一臺(tái)，可生產(chǎn)5nm、4nm、3nm級(jí)別的芯片。
不過(guò)EUV光刻機(jī)只有ASML能夠生產(chǎn)，像尼康、佳能也不生產(chǎn)不了，而目前國(guó)內(nèi)廠商上海微電子能夠生產(chǎn)的，且對(duì)外公開(kāi)的（不公開(kāi)的不清楚），只能用于90nm工藝，離ASML至少是10年的差距。
再說(shuō)說(shuō)刻蝕機(jī)，這一塊國(guó)產(chǎn)就非常厲害了，國(guó)內(nèi)有一家廠商叫做中微半導(dǎo)體，生產(chǎn)的刻蝕機(jī)，在精度方面已經(jīng)達(dá)到了3nm，并且被臺(tái)積電采用。
而中微半導(dǎo)體的刻蝕機(jī)與國(guó)際頂尖水平的應(yīng)用材料、泛林相比，是處于同一水平的，這一塊沒(méi)有落后。
另外再提一下薄膜沉積設(shè)備這一塊，國(guó)內(nèi)北方華創(chuàng)等也有生產(chǎn)，不過(guò)精度大約在14nm的水平，國(guó)產(chǎn)化率在10％到15％。
可見(jiàn)，半導(dǎo)體設(shè)備中的關(guān)鍵產(chǎn)品，我們其實(shí)除了光刻機(jī)外，其它的并不算特別落后，只要國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)能夠有突破，那么純國(guó)產(chǎn)芯片的工藝也就能夠迅速突破了。
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