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7月13日上午，據(jù)外媒報道稱，美國國會部分議員已于當(dāng)?shù)貢r間12日致信美國商務(wù)部部長雷蒙多（Raimondo），要求其考慮將中國存儲芯片制造企業(yè)長江存儲列入“實體清單”。
美國議員要求將長江存儲列入“實體清單”
報道稱，該信函指出，長江存儲是由政府控制并與軍方關(guān)聯(lián)的企業(yè)，其制造的存儲芯片可廣泛應(yīng)用于國防、人工智能和航天領(lǐng)域。
同時，該信函還稱，長江存儲的管理人員之前在中芯國際和中國軍方有關(guān)的工業(yè)和信息化部工作過。
除此之外，該信函還表示，長江存儲通過其母公司清華控股的巨大的分公司網(wǎng)絡(luò)和附屬公司向中國軍方供貨的。
基于以上這些所謂的“證據(jù)”，相關(guān)美國國會議員認(rèn)為，長江存儲與中國軍方有關(guān)系，要求美國商務(wù)部“在這件緊急事務(wù)上發(fā)揮領(lǐng)導(dǎo)作用”，把長江存儲列入實體清單，防止長江存儲獲得繼續(xù)從事違背美國國家安全的活動所需要的技術(shù)，以維護(hù)保護(hù)美國國家安全。
目前只是激進(jìn)的反華議員的“個人表演”
美國之音的這篇報道，隨后引發(fā)了國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界的關(guān)注，一些業(yè)內(nèi)認(rèn)為，如果美國真的將長江存儲列入實體清單，那么將對于我國存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來極大的阻力。或許是受到該消息的影響，7月13日A股眾多半導(dǎo)體相關(guān)個股都出現(xiàn)了大跌。
不過，我們也不必過于緊張，畢竟這目前還只是少數(shù)激進(jìn)的美國反華議員的個人意見函而已，并不意味著真的會發(fā)生。
據(jù)了解，此次向美國商務(wù)部致函的是美國眾議院外交委員會首席共和黨成員麥考爾（Michael McCaul）和共和黨參議員哈格蒂（Bill Hagerty）。特別是麥考爾，其一直以來都是一個激進(jìn)的反華議員。
早在今年3月，麥考爾就曾伙同另一位激進(jìn)的反華議員魯比奧（Marco Rubio）就曾致信美國商務(wù)部長雷蒙多稱，基于中芯國際協(xié)助中國大陸追求“取代美國在全球的領(lǐng)先地位”方面發(fā)揮的作用，為保護(hù)美國的國家安全利益，要求禁止可能支持中芯國際生產(chǎn)半導(dǎo)體的所有設(shè)備的供應(yīng)。
雖然去年年底美國將中芯國際列入了實體清單，但是中芯國際的供應(yīng)商通過向美國政府申請許可，依然可以向中芯國際供應(yīng)成熟制程所需的相關(guān)含有美國技術(shù)的半導(dǎo)體設(shè)備和材料等。
到目前為止，麥考爾和魯比奧的要求全面向中芯國際禁止的要求，并未得到美國商務(wù)部的支持。
另外，在今年4月，麥考爾還聯(lián)合另一位參議員Tom Cotton再度致信美國商務(wù)部部長雷蒙多，要求EDA軟件在銷售給所有中國企業(yè)或單位之前，都必須獲得美國政府的特別許可。言下之意就是，要求EDA軟件對中國進(jìn)行全面的禁售。信中還強調(diào)，這樣的行動將確保美國企業(yè)及伙伴國、盟國的企業(yè)將相關(guān)產(chǎn)品或技術(shù)在銷售給中國企業(yè)或單位之后，不會被反過來扼殺。
當(dāng)時，該消息也引發(fā)了國內(nèi)業(yè)界的關(guān)注和擔(dān)憂。然而到目前為止，麥考爾的這項請求，同樣也并未得到美國商務(wù)部的支持。
因此，我們沒必要對于個別激進(jìn)的反華議員的個人言論過于擔(dān)憂。當(dāng)然，這也并不是意味著一切可以高枕無憂。
自從2019年美國對華為制裁之后，國內(nèi)的眾多的半導(dǎo)體企業(yè)應(yīng)該就已經(jīng)有了深刻的“危機意識”，近兩年來國內(nèi)的半導(dǎo)體制造廠商也在大力的扶持國產(chǎn)設(shè)備及材料廠商。
長江存儲192層 3D NAND有望年內(nèi)量產(chǎn)？
長江存儲成立于2016年7月，由紫光集團(tuán)、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投在武漢新芯的基礎(chǔ)上組建成立。據(jù)統(tǒng)計，長江存儲總投資約1600億元。當(dāng)時紫光集團(tuán)占股51.04%。
2016年12月，以長江存儲為主體的國家存儲器基地正式開工建設(shè)，其中包括3座全球單座潔凈面積******的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，預(yù)計項目建成后總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。
依托武漢新芯已有的12英寸先進(jìn)集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ)，采取自主研發(fā)與國際合作雙輪驅(qū)動的方式，長江存儲已于2017年研制成功了************顆3D NAND閃存芯片。而隨著2018年長江存儲的32層NAND Flash的量產(chǎn)，國產(chǎn)閃存芯片終于實現(xiàn)了重大突破。不過，由于該技術(shù)與國際主流技術(shù)相差較大，所以并不會影響到市場。
2019年9月長江存儲正式宣布，成功量產(chǎn)基于自研的Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND Flash。據(jù)長江存儲介紹，該閃存滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求，與目前業(yè)界已上市的64/72層3D NAND閃存相比，其擁有同代產(chǎn)品中更高存儲密度。
隨后，長江存儲會跳過96層堆棧直接殺向128層堆棧，力求進(jìn)一步縮短與三星、東芝等公司的差距。
2020年4月13日，長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
據(jù)介紹，長江存儲X2-6070是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號：X2-9060），單顆容量512Gb(64GB)，以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2020年8月，長江存儲又推出自有存儲品牌“致鈦”，隨后推出了一系列自有品牌SSD產(chǎn)品。并在市場上獲得了不錯的表現(xiàn)。
此前有消息稱，長江存儲有望于今年年中試產(chǎn)192層的3D NAND，追平國際一線廠商。但是隨后長江存儲予以了否認(rèn)。
雖然長江存儲在存儲技術(shù)上正在快速追趕國際一線廠商，并且差距也正在縮小，但是不可否認(rèn)的是，目前差距依然存在，特別是產(chǎn)能上的差距。
根據(jù)規(guī)劃，2020年底長江存儲的64層3D NAND閃存的產(chǎn)能提升至6萬片晶圓/月的規(guī)模。要知道目前僅三星一家的NAND FLASH的產(chǎn)能已經(jīng)達(dá)到了約50萬片/月的規(guī)模。
而要提升產(chǎn)能，提升芯片的工藝制程，實現(xiàn)對于一線廠商的追趕，就必須要采購大量的先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備，而在一塊肯定是需要美系半導(dǎo)體設(shè)備廠商支持的。
所以，在沒有被美國制裁的情況下，長江存儲應(yīng)該充分利用現(xiàn)有的發(fā)展機會，加速自身的產(chǎn)能建設(shè)，不能簡單的為了追求產(chǎn)線國產(chǎn)化而放慢前進(jìn)的腳步。當(dāng)然，在這同時也需要有第二手的準(zhǔn)備，如果“制裁”真的來了，也能有應(yīng)對方案。而此前長江存儲也一直有支持國產(chǎn)設(shè)備和材料。
但就目前國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備和材料領(lǐng)域的發(fā)展現(xiàn)狀來看，要想完全擺脫美系設(shè)備和材料，還不太現(xiàn)實，一切都還需要時間。但是我們也不能因噎廢食，因為怕被打壓而停下腳步。
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